JS65R170SM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JS65R170SM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de JS65R170SM MOSFET
JS65R170SM Datasheet (PDF)
js65r170fm js65r170wm js65r170abm js65r170cm js65r170bm js65r170sm.pdf

N R N-CHANNEL MOSFETJS65R170M Package MAIN CHARACTERISTICS 20A ID 650 V VDSS Rdson-max0.17 @Vgs=10V 38.5 nC Qg-typ APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply
Otros transistores... JCS9N90ABT , JCS9N90BT , JCS9N90FT , JCS9N90WT , JS65R170ABM , JS65R170BM , JS65R170CM , JS65R170FM , 5N65 , JS65R170WM , KNH2910A , KNH3206A , KNH3208A , KNH3306A , KNH3725A , KNH7150A , KNH7650A .
History: ELM14828AA | ATM2306NSA | JCS9N50RC | SIS472BDN | MTP5N60 | HMS8N60K | MTP3N35
History: ELM14828AA | ATM2306NSA | JCS9N50RC | SIS472BDN | MTP5N60 | HMS8N60K | MTP3N35



Liste
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MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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