JS65R170SM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: JS65R170SM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 151 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 38.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 59 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

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JS65R170SM Datasheet (PDF)

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N R N-CHANNEL MOSFETJS65R170M Package MAIN CHARACTERISTICS 20A ID 650 V VDSS Rdson-max0.17 @Vgs=10V 38.5 nC Qg-typ APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

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History: NCE60NF055D | WMM38N60C2 | JCS18N50SE

Liste

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