KNH9120A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KNH9120A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 97 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 305 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KNH9120A
KNH9120A Datasheet (PDF)
knp9120a knh9120a.pdf
40A200VN-CHANNELMOSFETKNX9120AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features Proprietary NewPlanar Technology RDS(ON)=50m (typ.)@VGS=10V LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2. Application DC-DCConverters DC-ACInverters for UPS SMPSand Motor controls3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Dra
knp9130a knh9130a.pdf
40A300VKNX9130AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewPlanar Technology R =100m@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications DC-DCConverters DC-ACInverters for UPS SMPSand Motor controls3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3
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