KNP2804C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KNP2804C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO220

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KNP2804C datasheet

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KNP2804C

150A 40V N-CHANNEL MOSFET KNX2804C KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =3.0m (typ.)@V =10V DS(ON),typ. GS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Extremely low on-resistance RDS(on) 2. Application Motor control and drive Battery management UPS 3. Pin configuration Pin Func

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KNP2804C

150A 40V N-CHANNELMOSFET KNX2804C KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =3.0m (typ.)@V =10V DS(ON),typ. GS Uses CRM(CQ) advancedTrench MOStechnology Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Extremely lowon-resistance RDS(on) 2. Application Motor control and drive Battery management UPS 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 S

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KNP2804C

150A 40V KNX2804A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =3.0m (typ.)@V =10V DS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode 2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gat

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KNP2804C

150A 30V KNX2803A N-CHANNEL MOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =2.2m typ. @ V =10V DS(on) GS Low On-Resistance Fast Switching 100% Avalanche Tested Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant 2. Features KNX2803A designed by the trench processing techniques to achieve extremely l

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