KNP3208A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KNP3208A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 189 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 61 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KNP3208A
KNP3208A Datasheet (PDF)
knd3208a knb3208a knp3208a knh3208a.pdf
100A85VKNX3208AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =6.5m@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 D
knd3204a kny3204a knb3204a knp3204a.pdf
100A40VKNX3204AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features R =4m(typ.)@V =10VDS(ON),typ. GS Proprietary NewTrenchTechnology LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications DC-DCconverters DC-DCInverters Power Supply3. PinconfigurationPinPin PinTO-252 FunctionTO-220 DFN5*6T
knd3206a knb3206a knp3206a knh3206a.pdf
110A60VN-CHANNELMOSFETKNX3206AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =6.5m(typ)@V =10VDS(ON) GS LowR to Minimize Conductive LossDS(ON) LowGate Charge for Fast SwitchingApplication OptimizedB CapabilityVDSS2. Applications Power Supply DC-DCconverters3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1of 7
knd3204a knb3204a knp3204a.pdf
100A40VKNX3204AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features R =4m(typ.)@V =10VDS(ON),typ. GS Proprietary NewTrenchTechnology LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications DC-DCconverters DC-DCInverters Power Supply3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drai
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918