KNP6180A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KNP6180A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 160 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 60 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 195 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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KNP6180A Datasheet (PDF)
knp6180a knf6180a.pdf
10A800VKNX6180AN-CHANNEL MOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary New Planar Technology R =1.0 @V =10VDS(ON),typ. GS Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications ATX Power LCD Panel Power3. Pin configurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain
knp6140a knf6140a.pdf
10A400V6140AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewPlanar Technology R =0.35@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications Ballast and Lighting DC-ACInverter Other Applications3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4
knp6165b knf6165b.pdf
10A650VKNX6165BN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features RoHSCompliant R ,typ.=0.75 @V =10VDS(ON) GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2. Applications Adaptor Charger SMPSStandby Power3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1 of 9 Rev 1.0. May. 201910A
knf6165a knp6165a.pdf
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