KNP9130A Todos los transistores

 

KNP9130A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KNP9130A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

KNP9130A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  kia
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KNP9130A

40A300VKNX9130AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewPlanar Technology R =100m@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications DC-DCConverters DC-ACInverters for UPS SMPSand Motor controls3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3

 9.1. Size:435K  kia
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KNP9130A

40A200VN-CHANNELMOSFET9120AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features Proprietary NewPlanar Technology RDS(ON)=50m (typ.)@VGS=10V LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2. Application DC-DCConverters DC-ACInverters for UPS SMPSand Motor controls3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain

 9.2. Size:444K  kia
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KNP9130A

40A200VN-CHANNELMOSFETKNX9120AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features Proprietary NewPlanar Technology RDS(ON)=50m (typ.)@VGS=10V LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2. Application DC-DCConverters DC-ACInverters for UPS SMPSand Motor controls3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Dra

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History: HUFA76423S3ST | P06P03LDG | HM12N20D | NCE65TF099F

 

 
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