KNP9130A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KNP9130A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TO220

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KNP9130A datasheet

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KNP9130A

40A 300V KNX9130A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.General Features Proprietary NewPlanar Technology R =100m @V =10V DS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode 2.Applications DC-DCConverters DC-ACInverters for UPS SMPSand Motor controls 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3

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KNP9130A

40A200V N-CHANNELMOSFET 9120A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features Proprietary NewPlanar Technology RDS(ON)=50m (typ.)@VGS=10V LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode 2. Application DC-DCConverters DC-ACInverters for UPS SMPSand Motor controls 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain

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KNP9130A

40A200V N-CHANNELMOSFET KNX9120A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features Proprietary NewPlanar Technology RDS(ON)=50m (typ.)@VGS=10V LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode 2. Application DC-DCConverters DC-ACInverters for UPS SMPSand Motor controls 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Dra

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