SLU65R700S2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SLU65R700S2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SLU65R700S2

SLU65R700S2 Datasheet (PDF)

..1. Size:982K maple semi
sld65r700s2 slu65r700s2.pdf

SLD65R700S2/SLU65R700S2650V N-channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis- 7A, 650V, RDS(on)typ= 0.55@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology.- Low gate charge ( typical 16nC)This advanced technology has been especially tailored to- High ruggednessminimize conduction loss, provide superior switching- Fast switchingper

8.1. Size:518K maple semi
sld65r420s2 slu65r420s2.pdf

SLD65R420S2/SLU65R420S2650V N-channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis- 11A, 650V, RDS(on)typ= 0.33@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology.- Low gate charge ( typical 23nC)This advanced technology has been especially tailored to- High ruggednessminimize conduction loss, provide superior switching- Fast switchingpe

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Liste

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