SLF3101 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLF3101
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 430 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de SLF3101 MOSFET
SLF3101 Datasheet (PDF)
slf3101 slp3101.pdf

LEAD FREEPbRoHS SLF3101/SLP3101430V N-Channel MOSFETGeneral Description Features - 11A, 430V, RDS(on)typ. = 0.55@VGS = 10 V - Low gate charge ( typical 23nC)This Power MOSFET is produced using Maple semis - High ruggednessadvanced trench MOSFET technology. - Fast switchingThis advanced technology has been especially tailored - 100% avalanche testedto minimize
Otros transistores... SLB80R500SJ , SLI80R500SJ , SLD80R850SJ , SLU80R850SJ , SLP80R850SJ , SLF80R850SJ , SLB80R850SJ , SLI80R850SJ , IRF730 , SLP3101 , SLF50R140SJ , SLP50R140SJ , SLF60R080SS , SLF60R160S2 , SLF60R650S2 , SLF65R300S2 , SLF65R700S2 .
History: IGLD60R190D1 | NTD60N03-001 | PPF240M | TK35A65W | NP80N055DLE | IRLM2502TR | IPU80R750P7
History: IGLD60R190D1 | NTD60N03-001 | PPF240M | TK35A65W | NP80N055DLE | IRLM2502TR | IPU80R750P7



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569