STK18N05 Todos los transistores

 

STK18N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STK18N05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT82
 

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STK18N05 Datasheet (PDF)

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STK18N05

` STK1820FSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETDC-DC CONVERTER APPLICATION HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=200V(Min.) Low Crss : Crss=22pF(Typ.) Low gate charge : Qg=30nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=0.17(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK1820F STK1820 TO-220F-3LOutline Dim

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