STK18N05L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK18N05L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 360 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT82
- Selección de transistores por parámetros
STK18N05L Datasheet (PDF)
stk1820f.pdf

` STK1820FSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETDC-DC CONVERTER APPLICATION HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=200V(Min.) Low Crss : Crss=22pF(Typ.) Low gate charge : Qg=30nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=0.17(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK1820F STK1820 TO-220F-3LOutline Dim
Otros transistores... STK12N05L , STK12N06L , STK14N05 , STK14N06 , STK14N10 , STK16N10L , STK17N10 , STK18N05 , IRF1404 , STK18N06 , STK18N06L , STK22N05 , STK22N06 , STK23N05L , STK23N06L , STK2N50 , STK2N80 .
History: HRS70N06K | IXFM13N80 | NCEAP60P90AK | PHD55N03LTA | 2SK1925 | BUK9MRR-55PGG | FQD10N20LTM
History: HRS70N06K | IXFM13N80 | NCEAP60P90AK | PHD55N03LTA | 2SK1925 | BUK9MRR-55PGG | FQD10N20LTM



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor