S-LNTA4001NT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: S-LNTA4001NT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.238 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SC89

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S-LNTA4001NT1G datasheet

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S-LNTA4001NT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LNTA4001NT1G Small Signal MOSFET S-LNTA4001NT1G 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection Features Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 x 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate Pb-Free Package is Available SC-89 ESD Protected 2000V ESD Protected 1500V S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring ESD

 9.1. Size:229K  lrc
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S-LNTA4001NT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Power MOSFET 20 V, 285 mA, P-Channel with ESD Protection, SOT-723 LNTK3043PT5G Features S-LNTK3043PT5G Enables High Density PCB Manufacturing 44% Smaller Footprint than SC-89 and 38% Thinner than SC-89 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable Equipment 1.5 W @ 4.5 V Low Threshold Levels, VGS(TH)

 9.2. Size:232K  lrc
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S-LNTA4001NT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LNTK2575LT1G Small Signal MOSFET S-LNTK2575LT1G 25 V, 0.75 A, Single, N-Channel, ESD Protection, SOT-23 3 Features Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) 1 Higher Efficiency Extending Battery Life 2 This is a Pb-Free Device S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring SOT 23 Unique Site and Control Ch

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