LND08R085 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LND08R085  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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LND08R085 datasheet

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LND08R085

LNC08R085 LND08R085/LNE08R085 Lonten N-channel 80V, 80A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 80V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8.5m technology. This advanced technology has been ID 80A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with

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LND08R085

LNC08R055W3/LND08R055W3/LNE08R055W3 Lonten N-channel 85V, 120A, 5.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 85V effect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 5.5m technology. This advanced technology has been ID 120A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per

Otros transistores... LNC5N65B, LNC7N60, LNC7N60D, LNC7N65D, LND04R035B, LND06R062, LND06R079, LND08R055W3, 4N60, LND10N60, LND10N65, LND10R040W3, LND10R180, LND12N60, LND12N65, LND13N50, LND16N60