LND08R085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LND08R085
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 49 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 127 nC
Tiempo de subida (tr): 56 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 256 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LND08R085
LND08R085 Datasheet (PDF)
lnc08r085 lnd08r085 lne08r085.pdf
LNC08R085\LND08R085/LNE08R085 Lonten N-channel 80V, 80A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 80V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8.5m technology. This advanced technology has been ID 80A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with
lnc08r055w3 lnd08r055w3 lne08r055w3.pdf
LNC08R055W3/LND08R055W3/LNE08R055W3 Lonten N-channel 85V, 120A, 5.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 85V effect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 5.5m technology. This advanced technology has been ID 120A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
