LND5N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LND5N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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LND5N50 datasheet

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LND5N50

LNC5N50 LND5N50 LNG5N50 LNH5N50 Lonten N-channel 500V, 5A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 500V DSS advanced planar VDMOS technology. The I 5A D resulting device has low conduction resistance, R 1.6 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 12.8 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge

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LND5N50

LNC5N65B LND5N65B LNG5N65B LNH5N65B Lonten N-channel 650V, 5A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planar VDMOS technology. The I 5A D resulting device has low conduction resistance, R 2.1 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 14.5 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate ch

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