LND7N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LND7N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET LND7N60

LND7N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:940K lonten
lnc7n60 lnd7n60.pdf

LNC7N60\LND7N60 Lonten N-channel 600V, 7A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 600V advanced planar VDMOS technology. The ID 7A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 1.3 superior switching performance and high avalance Qg,typ 20.6nC energy. Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Qg =20.6nC

0.1. Size:1036K lonten
lnc7n60d lnd7n60d lng7n60d lnh7n60d.pdf

LNC7N60D\LND7N60D\LNG7N60D\LNH7N60D Lonten N-channel 600V, 7A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 600V advanced planar VDMOS technology. The ID 7A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 1.3 superior switching performance and high avalance Qg,typ 20.6nC energy. Features Low RDS(on) Low gate cha

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lnc7n65d lnd7n65d lng7n65d lnh7n65d lnf7n65d.pdf

LNC7N65D\LND7N65D\LNG7N65D\LNH7N65D\ LNF7N65D Lonten N-channel 650V, 7A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planar VDMOS technology. The ID 7A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 1.4 superior switching performance and high avalance Qg,typ 20.7nC energy. Features Low RDS(on) Lo

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Liste

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