LND7N65D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LND7N65D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 111 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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LND7N65D datasheet

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LND7N65D

LNC7N65D LND7N65D LNG7N65D LNH7N65D LNF7N65D Lonten N-channel 650V, 7A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planar VDMOS technology. The ID 7A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 1.4 superior switching performance and high avalance Qg,typ 20.7nC energy. Features Low RDS(on) Lo

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LND7N65D

LNC7N60D LND7N60D LNG7N60D LNH7N60D Lonten N-channel 600V, 7A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 600V advanced planar VDMOS technology. The ID 7A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 1.3 superior switching performance and high avalance Qg,typ 20.6nC energy. Features Low RDS(on) Low gate cha

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LND7N65D

LNC7N60 LND7N60 Lonten N-channel 600V, 7A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 600V advanced planar VDMOS technology. The ID 7A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 1.3 superior switching performance and high avalance Qg,typ 20.6nC energy. Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Qg =20.6nC

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