LNE12N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LNE12N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 41.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 37.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 164 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET LNE12N65

LNE12N65 Datasheet (PDF)

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LND12N65/LNC12N65/LNE12N65/LNF12N65/LNDN12N65Lonten N-channel 650V, 12A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 12ADresulting device has low conduction resistance, R 0.8DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 41.9 nCg,typenergy.Features Low RDS(on)

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LND12N65/LNC12N65/LNE12N65/LNF12N65 Lonten N-channel 650V, 12A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planer VDMOS technology. The ID 12A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 0.8 superior switching performance and high avalanche Qg,typ 41.9 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate

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LND12N60/LNC12N60/LNE12N60/LNF12N60 Lonten N-channel 600V, 12A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 600V advanced planer VDMOS technology. The ID 12A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 0.75 superior switching performance and high avalance Qg,typ 40.8 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate

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History: VBM1102N | FQB2NA90TM

Liste

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