LNG2N65 Todos los transistores

 

LNG2N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNG2N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

LNG2N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1015K  lonten
 lnd2n65 lnc2n65 lng2n65 lnh2n65.pdf pdf_icon

LNG2N65

LND2N65/LNC2N65/LNG2N65/LNH2N65 Lonten N-channel 650V, 2A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planer VDMOS technology. The ID 2A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 5.2 superior switching performance and high avalance Qg,typ 10.2 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate charge

 ..2. Size:1401K  lonten
 lnd2n65 lnc2n65 lng2n65 lnh2n65 lnu2n65.pdf pdf_icon

LNG2N65

LND2N65/LNC2N65/LNG2N65/LNH2N65/LNU2N65Lonten N-channel 650V, 2A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 2ADresulting device has low conduction resistance, R 5.2DS(on),maxsuperior switching performance and high avalance Q 10.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate

 8.1. Size:1336K  lonten
 lnd2n60 lnc2n60 lng2n60 lnh2n60.pdf pdf_icon

LNG2N65

LND2N60/LNC2N60/LNG2N60/LNH2N60Lonten N-channel 600V, 2A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 2ADresulting device has low conduction resistance, R 4.5DS(on),maxsuperior switching performance and high avalance Q 10.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge

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History: IRLI3803PBF | NCE80H12

 

 
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