STP15N05L Todos los transistores

 

STP15N05L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP15N05L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP15N05L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:380K  st
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STP15N05L

STP15N05LSTP15N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP15N05L 50 V

 6.1. Size:201K  st
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STP15N05L

STP15N05LSTP15N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP15N05L 50 V

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STP15N05L

STP15N06LSTP15N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP15N06L 60 V

 7.2. Size:196K  st
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STP15N05L

STP15N06LSTP15N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP15N06L 60 V

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History: ZXMP10A18KTC | SGSP321 | TPCS8007-H | BSP110 | AUIRFR4620 | PSMN006-20K | NCE65T900D

 

 
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