LNH2N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNH2N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.2 Ohm
Encapsulados: TO-251
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LNH2N65 datasheet
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LND2N65/LNC2N65/LNG2N65/LNH2N65 Lonten N-channel 650V, 2A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planer VDMOS technology. The ID 2A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 5.2 superior switching performance and high avalance Qg,typ 10.2 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate charge
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LND2N65/LNC2N65/LNG2N65/LNH2N65/LNU2N65 Lonten N-channel 650V, 2A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 2A D resulting device has low conduction resistance, R 5.2 DS(on),max superior switching performance and high avalance Q 10.2 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate
lnd2n60 lnc2n60 lng2n60 lnh2n60.pdf
LND2N60/LNC2N60/LNG2N60/LNH2N60 Lonten N-channel 600V, 2A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 600V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 2A D resulting device has low conduction resistance, R 4.5 DS(on),max superior switching performance and high avalance Q 10.2 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge
Otros transistores... LNH06R079 , LNH06R110 , LNH06R140 , LNH06R200 , LNH06R230 , LNH06R310 , LNH08R085 , LNH2N60 , 5N60 , LNH4N60 , LNH4N65 , LNH4N80 , LNH5N50 , LNH5N65B , LNH7N60D , LNH7N65D , LNL04R075 .
History: MTP5N40 | BLS6G3135S-20 | IPA032N06N3G
History: MTP5N40 | BLS6G3135S-20 | IPA032N06N3G
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