STP19N06FI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP19N06FI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: ISOWATT220
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STP19N06FI datasheet
stp19n06--.pdf
STP19N06 STP19N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP19N06 60 V
stp19n06l.pdf
STP19N06L STP19N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP19N06L 60 V
stp19n06.pdf
STP19N06 STP19N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP19N06 60 V
Otros transistores... STP13N10LFI , STP15N05L , STP15N05LFI , STP15N06L , STP15N06LFI , STP18N10 , STP18N10FI , STP19N06 , SKD502T , STP19N06L , STP19N06LFI , STP20N06 , STP20N06FI , STP20N10 , STP20N10FI , STP20N10L , STP20N10LFI .
History: STD10N10T4 | STD12N05 | STD12N06L
History: STD10N10T4 | STD12N05 | STD12N06L
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Liste
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