STP19N06FI Todos los transistores

 

STP19N06FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP19N06FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT220
 

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STP19N06FI Datasheet (PDF)

 6.1. Size:194K  st
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STP19N06FI

STP19N06STP19N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP19N06 60 V

 6.2. Size:142K  st
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STP19N06FI

STP19N06LSTP19N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP19N06L 60 V

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STP19N06FI

STP19N06STP19N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP19N06 60 V

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