STP19N06FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP19N06FI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOWATT220
Búsqueda de reemplazo de STP19N06FI MOSFET
STP19N06FI Datasheet (PDF)
stp19n06--.pdf
STP19N06STP19N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP19N06 60 V
stp19n06l.pdf
STP19N06LSTP19N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP19N06L 60 V
stp19n06.pdf
STP19N06STP19N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP19N06 60 V
Otros transistores... STP13N10LFI , STP15N05L , STP15N05LFI , STP15N06L , STP15N06LFI , STP18N10 , STP18N10FI , STP19N06 , IRF9540N , STP19N06L , STP19N06LFI , STP20N06 , STP20N06FI , STP20N10 , STP20N10FI , STP20N10L , STP20N10LFI .
History: SWYS069R10VS | HUF76423S3S
History: SWYS069R10VS | HUF76423S3S
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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