STP21N05LFI Todos los transistores

 

STP21N05LFI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP21N05LFI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 370 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT220
 

 Búsqueda de reemplazo de STP21N05LFI MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STP21N05LFI Datasheet (PDF)

 5.1. Size:383K  st
 stp21n05l.pdf pdf_icon

STP21N05LFI

STP21N05LSTP21N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP21N05L 50 V

 6.1. Size:197K  st
 stp21n05.pdf pdf_icon

STP21N05LFI

STP21N05LSTP21N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP21N05L 50 V

 7.1. Size:197K  st
 stp21n06.pdf pdf_icon

STP21N05LFI

STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP21N06L 60 V

 7.2. Size:383K  st
 stp21n06l.pdf pdf_icon

STP21N05LFI

STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP21N06L 60 V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STP19N06LFI , STP20N06 , STP20N06FI , STP20N10 , STP20N10FI , STP20N10L , STP20N10LFI , STP21N05L , IRLB4132 , STP21N06L , STP21N06LFI , STP25N05 , STP25N05FI , STP25N06 , STP25N06FI , STP2N60 , STP2N60FI .

History: FDMS3500 | FK10SM-10 | FDMA510PZ | FRS430R

 

 
Back to Top

 


 
.