STP21N05LFI Todos los transistores

 

STP21N05LFI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP21N05LFI

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 370 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm

Encapsulados: ISOWATT220

 Búsqueda de reemplazo de STP21N05LFI MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STP21N05LFI datasheet

 5.1. Size:383K  st
 stp21n05l.pdf pdf_icon

STP21N05LFI

STP21N05L STP21N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP21N05L 50 V

 6.1. Size:197K  st
 stp21n05.pdf pdf_icon

STP21N05LFI

STP21N05L STP21N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP21N05L 50 V

 7.1. Size:197K  st
 stp21n06.pdf pdf_icon

STP21N05LFI

STP21N06L STP21N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP21N06L 60 V

 7.2. Size:383K  st
 stp21n06l.pdf pdf_icon

STP21N05LFI

STP21N06L STP21N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP21N06L 60 V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STP19N06LFI , STP20N06 , STP20N06FI , STP20N10 , STP20N10FI , STP20N10L , STP20N10LFI , STP21N05L , CS150N03A8 , STP21N06L , STP21N06LFI , STP25N05 , STP25N05FI , STP25N06 , STP25N06FI , STP2N60 , STP2N60FI .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.