LSGC10R080W3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LSGC10R080W3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 453 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: TO-220
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LSGC10R080W3 datasheet
lsgc10r080w3 lsgd10r080w3 lsge10r080w3.pdf
LSGC10R080W3/LSGD10R080W3/LSGE10R080W3 Lonten N-channel 100V, 80A, 8m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 100V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8m technology. This advanced technology has been I 80A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching perform
lsgc15r085w3 lsge15r085w3.pdf
LSGC15R085W3 LSGE15R085W3 Lonten N-channel 150V, 120A, 8.5m Power MOSFET Features Product Summary m 150V,120 A,R =8.5 @ V =10V DS(ON).max GS VDS 150V Improved dv/dt capability RDS(on) 7m Fast switching I D 120A 100% EAS Guaranteed Green device available Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche
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History: LSG65R380HT | LNG4N65
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