STP2N60FI Todos los transistores

 

STP2N60FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP2N60FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 33 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT220
 

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STP2N60FI Datasheet (PDF)

 7.1. Size:388K  st
 stp2n60.pdf pdf_icon

STP2N60FI

STP2N60STP2N60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP2N60 600 V

 8.1. Size:1255K  st
 stb2n62k3 std2n62k3 stf2n62k3 stp2n62k3 stu2n62k3.pdf pdf_icon

STP2N60FI

STB2N62K3, STD2N62K3, STF2N62K3, STP2N62K3, STU2N62K3N-channel 620 V, 3 , 2.2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on) Order codes VDSS max ID PTOT32311STB2N62K3TAB45 WIPAKDPAKSTD2N62K33TABSTF2N62K3 620 V

 8.2. Size:1117K  st
 std2n62k3 stf2n62k3 stu2n62k3 stp2n62k3.pdf pdf_icon

STP2N60FI

STD2N62K3, STF2N62K3STP2N62K3, STU2N62K3N-channel 620 V, 3 , 2.2 A, DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FPSuperMESH3 Power MOSFETFeaturesRDS(on) 3Type VDSS ID Pwmax1 32DPAK 1STD2N62K3 45 WIPAKSTF2N62K3 20 W620 V

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