LSH70R1KGT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LSH70R1KGT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

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LSH70R1KGT Datasheet (PDF)

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LSD70R1KGT/LSG70R1KGT/ LSH70R1KGT LonFET Lonten N-channel 700V, 4A, 1.08 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 750V advanced super junction technology. The RDS(on),max 1.08 resulting device has extremely low on IDM 12A resistance, making it especially suitable for Qg,typ 13nC applications which require super

8.1. Size:1179K lonten
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LSD70R450GT/LSE70R450GT/LSF70R450GT/LSG70R450GT/LSH70R450GT LonFET Lonten N-channel 700V, 11A, 0.45 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 750V advanced super junction technology. The RDS(on),max 0.45 resulting device has extremely low on resistance, IDM 30A making it especially suitable for applications which

8.2. Size:1238K lonten
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LSC70R640GT/LSD70R640GT/LSG70R640GT/ LSH70R640GT/LSF70R640GT LonFET Lonten N-channel 700V, 7A, 0.64 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 750V advanced super junction technology. The resulting RDS(on),max 0.64 device has extremely low on resistance, making it IDM 21A especially suitable for applications whic

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