MCG30N03A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCG30N03A 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Encapsulados: DFN3333
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MCG30N03A datasheet
mcg30n03a.pdf
MCG30N03A Features High Density Cell Design For Low RDS(ON) Trench Power LV MOSFET Technology Excellent Package for Heat Dissipation Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ord
mcg30n03-tp.pdf
MCG30N03 Features High Density Cell Desihn for Ultra Low RDS(on) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 N-CHANNEL Halogen Free. Green Device (Note 1) MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Maximum Ratings
mcg30n03.pdf
MCG30N03 Features High Density Cell Desihn for Ultra Low RDS(on) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 N-CHANNEL Halogen Free. Green Device (Note 1) MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Maximum Ratings
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Liste
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