MCPF07N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCPF07N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MCPF07N65 MOSFET
MCPF07N65 Datasheet (PDF)
mcpf07n65.pdf
MCPF07N65Features High Current Rating Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150C S
Otros transistores... MCG20N08 , MCG30N03 , MCG30N03A , MCG40N03 , MCG50N03 , MCMN2012 , MCP07N65 , MCP20N70 , AON6414A , MCQ03N06 , MCQ15N10B , MCQ15N10Y , MCQ4407 , MCQ4407B , MCQ4503A , MCQ4559 , MCQ4953 .
History: 2SK3161 | STN2NF10 | 2SK1868 | IXTQ36N30P | AP9468GH | CED20N02
History: 2SK3161 | STN2NF10 | 2SK1868 | IXTQ36N30P | AP9468GH | CED20N02
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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