MCQ4559 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCQ4559
Código: Q4559
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 9(max) nC
trⓘ - Tiempo de subida: 100(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
MCQ4559 Datasheet (PDF)
mcq4559.pdf

MCQ4559Features Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingDual Moisture Sensitivity Level 1N&P-Channel Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150C Storage Temperatur
mcq4503a.pdf

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History: SI7820DN | SPW24N60C3 | STB140NF75-1
History: SI7820DN | SPW24N60C3 | STB140NF75-1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHD50N03 | DHD3N90 | DHD3205A | DHD16N06 | DHD100N03B13 | DHD035N04 | DHD015N06 | DHBZ24B31 | DHBSJ7N65 | DHBSJ5N65 | DHBSJ13N65 | DHBSJ11N65 | DHB9Z24 | DHB90N045R | DHB90N03B17 | DHB8290
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