MCQ4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCQ4953
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MCQ4953 MOSFET
MCQ4953 Datasheet (PDF)
mcq4953.pdf

MCQ4953Features Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingDual Moisture Sensitivity Level 1P-Channel Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"Power MOSFETMaximum RatingsOperating Junction Temperature Range : -55C to +150CStorage Temp
Otros transistores... MCPF07N65 , MCQ03N06 , MCQ15N10B , MCQ15N10Y , MCQ4407 , MCQ4407B , MCQ4503A , MCQ4559 , AON7408 , MCQ6005 , MCS2305B , MCT04N10 , MCT04N15 , MCT04P06 , MCT06P10 , MCU05N60A , MCU09N20 .
History: 2SK2117 | IRF7478TR | AONS30306
History: 2SK2117 | IRF7478TR | AONS30306



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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