MCT04N10 Todos los transistores

 

MCT04N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCT04N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: SOT223

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MCT04N10 datasheet

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MCT04N10

MCT04N10 Features Ultra Low Gate Charge Low Reverse Transfer Capacitance Fast Switching Capability Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1 MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Maximum Ratings

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MCT04N10

MCT04N15 Features High Density Cell Design for Ultra Low RDS(ON) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Excellent Package for Good Heat Dissipation N-Channel Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Power MOSFET Halogen Free. Green Device (Note 1) Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Co

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MCT04N10

MCT04P06 Features Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 P-Channel MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Maximum Ratings Operating Junction Temperature Range -55 C to +150 C Storage Temperature Range -

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