SIL3415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIL3415
   Código: R15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIL3415

SIL3415 Datasheet (PDF)

..1. Size:935K mcc
sil3415.pdf

SIL3415Features Excellent RDS(ON) Low Gate Charge,Low Gate Voltages Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"P-Channel MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Ratings Operating Junction Temperature Ran

9.1. Size:551K mcc
sil3439k.pdf

SIL3439KFeatures Low RDS(on) Operated at Low Logic Level Gate Drive ESD Protected up to 3KV (HBM)Dual Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingN&P-Channel Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maxim

9.2. Size:496K mcc
sil3400a.pdf

SIL3400AFeatures High Density Cell Design For Low RDS(ON) Exceptional On-Resistance and Maximum DC Current Capability Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1N-CHANNEL Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSMOSFETCompliant. See Ordering Information)

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: