EFC4K105NUZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EFC4K105NUZ
Código: NZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 22 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00355 Ohm
Paquete / Cubierta: WLCSP10
Búsqueda de reemplazo de MOSFET EFC4K105NUZ
EFC4K105NUZ Datasheet (PDF)
efc4k105nuz.pdf
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efc4k110nuz.pdf
EFC4K110NUZMOSFET Power, Dual,N-Channel, for 1-2 CellsLithium-ion Battery Protection24 V, 2.95 mW, 25 Awww.onsemi.comIntroductionThis Power MOSFET features a low on-state resistance. This deviceVSSS RSS(ON) MAX IS MAXis suitable for applications such as power switches of portable24 V 2.95 mW @ 4.5 V 25 Amachines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applicatio
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