STP3N100FI Todos los transistores

 

STP3N100FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP3N100FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 48 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT220
 

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STP3N100FI Datasheet (PDF)

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STP3N100FI

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STP3N100FI

STP3N100STP3N100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3N100 1000 V

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STP3N100FI

STFW3N150, STH3N150-2 STP3N150, STW3N150DatasheetN-channel 1500 V, 2.5 A, 6 typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packagesFeaturesTABVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codes23 1 3STFW3N150 63 W22H PAK-21STH3N150-2TO-3PF1500 V 9 2.5 ASTP3N150 140 WTABSTW3N15033 100% avalanche tested2 2 1 1 TO-220

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STP3N100FI

STFW3N150STP3N150, STW3N150N-channel 1500 V, 6 , 2.5 A, PowerMESH Power MOSFETin TO-220, TO-247, TO-3PFFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PTOTmax.STFW3N150 1500 V

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History: STP5N30L

 

 
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