FCH041N65F-F085 Todos los transistores

 

FCH041N65F-F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCH041N65F-F085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 595 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10529 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm

Encapsulados: TO247

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FCH041N65F-F085 datasheet

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FCH041N65F-F085

MOSFET N-Channel, SUPERFET) II, FRFET) 650 V, 76 A, 41 mW FCH041N65F-F085 Description SuperFET II Mosfet is ON Semiconductor s brand-new high www.onsemi.com voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize VDS RDS(ON) MAX ID MAX condu

 4.1. Size:635K  fairchild semi
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FCH041N65F-F085

November 2014 FCH041N65F_F085 N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 650 V, 76 A, 41 m D Features Typical RDS(on) = 34 m at VGS = 10 V, ID = 38 A Typical Qg(tot) = 234 nC at VGS = 10V, ID = 38 A UIS Capability G Qualified to AEC Q101 G RoHS Compliant D TO-247 S S Description SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new For current package drawing,

 4.2. Size:1373K  fairchild semi
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FCH041N65F-F085

December 2014 FCH041N65F N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 650 V, 76 A, 41 m Features Description 700 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 36 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 226 nC

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History: FQD10N20L | ALD1102BPAL | FDP2552 | WMQ20N06TS

 

 

 

 

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