FCMT180N65S3 Todos los transistores

 

FCMT180N65S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCMT180N65S3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN4-8X8-2P
     - Selección de transistores por parámetros

 

FCMT180N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  onsemi
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FCMT180N65S3

MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 17 A, 180 mWFCMT180N65S3DescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailored to minimize VDSS RDS(ON

 9.1. Size:937K  fairchild semi
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FCMT180N65S3

August 2014FCMT199N60N-Channel SuperFET II MOSFET600 V, 20.2 A, 199 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing RDS(on) = 170 m (Typ.)charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 57 nC) a

 9.2. Size:303K  onsemi
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FCMT180N65S3

MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET) III,Easy-Drive650 V, 24 A, 125 mWFCMT125N65S3www.onsemi.comGeneral DescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology

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History: 2SK2931

 

 
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