FDB045AN08A0-F085 Todos los transistores

 

FDB045AN08A0-F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB045AN08A0-F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 92 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263AB
 

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FDB045AN08A0-F085 Datasheet (PDF)

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FDB045AN08A0-F085

FDB045AN08A0-F085N-Channel PowerTrench MOSFET Applications75V, 80A, 4.5m 42V Automotive Load Control Starter / Alternator SystemsFeatures rDS(ON) = 3.9m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Electronic Power Steering Systems Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V Electronic Valve Train Systems Low Miller Charge DC-DC converters and Off-line UPS Low QRR B

 2.1. Size:543K  fairchild semi
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FDB045AN08A0-F085

May 2006tmFDB045AN08A0N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.5mFeatures Applications rDS(ON) = 3.9m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low QRR Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capability (Si

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FDB045AN08A0-F085

June 2010_FDB045AN08A0 F085N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.5m Features Applications rDS(ON) = 3.9m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low QRR Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capability

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History: NP48N055MLE

 

 
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