FDB9503L-F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDB9503L-F085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 86 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5620 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm

Encapsulados: TO263AB

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FDB9503L-F085 datasheet

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FDB9503L-F085

FDB9503L-F085 P-Channel PowerTrench MOSFET S D - 40 V, - 110 A, 2.6 m G Features Typical RDS(on) = 2.0 m at VGS = - 10V, ID = - 80 A Typical Qg(tot) = 196 nC at VGS = - 10V, ID = - 80 A G S UIS Capability D RoHS Compliant TO-263AB Qualified to AEC Q101 FDB SERIES Applications Automotive Engine Control PowerTrain Management Solenoid and Motor Drivers Electr

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FDB9503L-F085

FDB9509L-F085 Power MOSFET, Single P-Channel -40 V, -83 A, 8.0 mW Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 8.0 mW @ -10 V -40 V -83 A 12.5 mW @ -4.5 V MAXIM

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FDB9503L-F085

FDB9506L-F085 Power MOSFET -40 V, 3.6 mW, -110 A, Single P-Channel Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3.6

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