FDBL0200N100 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FDBL0200N100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDBL0200N100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 429 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3950 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: H-PSOF8L

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FDBL0200N100 datasheet

..1. Size:561K onsemi
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MOSFET N-Channel, POWERTRENCH) 100 V, 300 A, 2.0 mW FDBL0200N100 Features www.onsemi.com Typical RDS(on) = 1.5 mW at VGS = 10 V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 95 nC at VGS = 10 V, ID = 80 A VDSS RDS(ON) MAX ID MAX UIS Capability 100 V 2.0 mW @ 10 V 300 A This Device is Pb-Free and is RoHS Compliant Applications Industrial Motor Drive Industrial Power Supp

8.1. Size:379K fairchild semi
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April 2015 FDBL0210N80 N-Channel PowerTrench MOSFET 80 V, 240 A, 2.0 m Features Typical RDS(on) = 1.5 m at VGS = 10V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 130 nC at VGS = 10V, ID = 80 A D UIS Capability RoHS Compliant Applications Industrial Motor Drive G Industrial Power Supply Industrial Automations Battery Operated tools S Battery Protection For current package d

8.2. Size:520K onsemi
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Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

8.3. Size:626K onsemi
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