FDD13AN06A0-F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDD13AN06A0-F085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: TO252AA

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FDD13AN06A0-F085 datasheet

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FDD13AN06A0-F085

FDD13AN06A0-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 13.5m Applications Features Motor / Body Load Control rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A ABS Systems Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Injection Systems Low QRR Body Diode DC-DC converters and Off-line UPS UIS Capability (Single Puls

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FDD13AN06A0-F085

July 2003 FDD13AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 13.5m Features Applications rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC co

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FDD13AN06A0-F085

September 2010 FDD13AN06A0_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 13.5m Features Applications rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

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