STP3NA80FI Todos los transistores

 

STP3NA80FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP3NA80FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.75 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT220
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP3NA80FI Datasheet (PDF)

 6.1. Size:383K  st
 stp3na80.pdf pdf_icon

STP3NA80FI

STP3NA80STP3NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NA80 800 V

 8.1. Size:59K  st
 stp3na90-.pdf pdf_icon

STP3NA80FI

STP3NA90STP3NA90FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(o n) DSTP3NA90 900 V

 8.2. Size:436K  st
 stp3na60.pdf pdf_icon

STP3NA80FI

STP3NA60STP3NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NA60 600 V

 8.3. Size:196K  st
 stp3na50.pdf pdf_icon

STP3NA80FI

STP3NA50STP3NA50FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP3NA50 500 V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STP3N50XI , STP3N60FI , STP3N60XI , STP3N80XI , STP3N90 , STP3N90FI , STP3NA50FI , STP3NA80 , 5N65 , STP40N05 , STP40N05FI , STP40N10 , STP40N10FI , STP4N100 , STP4N100FI , STP4N100XI , STP4N40 .

History: 2SJ152

 

 
Back to Top

 


 
.