FDD5810-F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDD5810-F085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO252

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FDD5810-F085 datasheet

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FDD5810-F085

FDD5810-F085 N-Channel Logic Level Trench MOSFET 60V, 36A, 27m Applications Motor / Body Load Control Features ABS Systems RDS(ON) = 22m Typ.), VGS = 5V, ID = 29A Powertrain Management Qg(5) = 13nC (Typ.), VGS = 5V Injection System Low Miller Charge DC-DC converters and Off-line UPS Low Qrr Body Diode Distributed Power Architecture and VRMs UIS Capability (Single

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FDD5810-F085

May 2010 FDD5810_F085 N-Channel Logic Level Trench MOSFET 60V, 36A, 27m Applications Features Motor / Body Load Control RDS(ON) = 22m Typ.), VGS = 5V, ID = 29A ABS Systems Qg(5) = 13nC (Typ.), VGS = 5V Powertrain Management Low Miller Charge Injection System Low Qrr Body Diode DC-DC converters and Off-line UPS UIS Capability (Single Pulse / Repetitive Pulse) Dis

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FDD5810-F085

October 2007 FDD5810 N-Channel Logic Level Trench MOSFET 60V, 36A, 27m Applications Features Motor / Body Load Control RDS(ON) = 22m (Typ.), VGS = 5V, ID = 29A ABS Systems Qg(5) = 13nC (Typ.), VGS = 5V Powertrain Management Low Miller Charge Injection System Low Qrr Body Diode DC-DC converters and Off-line UPS UIS Capability (Single Pulse / Repetitive Pulse) Di

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