STP40N05 Todos los transistores

 

STP40N05 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP40N05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 290 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de STP40N05 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STP40N05 datasheet

 ..1. Size:337K  st
stp40n05.pdf pdf_icon

STP40N05

 7.1. Size:108K  st
stp40n03l-20.pdf pdf_icon

STP40N05

STP40N03L-20 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE "ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP40N03L-20 30 V

 8.1. Size:239K  st
stp40nf10l.pdf pdf_icon

STP40N05

STP40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A TO-220 Low gate charge STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP40NF10L 100V

 8.2. Size:440K  st
sti40n65m2 stp40n65m2.pdf pdf_icon

STP40N05

STI40N65M2, STP40N65M2 N-channel 650 V, 0.087 typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STI40N65M2 650 V 0.099 32 A STP40N65M2 3 Extremely low gate charge 2 3 2 1 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 I PAK TO-220 100% avalanche tested

Otros transistores... STP3N60FI , STP3N60XI , STP3N80XI , STP3N90 , STP3N90FI , STP3NA50FI , STP3NA80 , STP3NA80FI , EMB04N03H , STP40N05FI , STP40N10 , STP40N10FI , STP4N100 , STP4N100FI , STP4N100XI , STP4N40 , STP4N40FI .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.