STP40N05 Todos los transistores

 

STP40N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP40N05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 290 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP40N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  st
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STP40N05

 7.1. Size:108K  st
stp40n03l-20.pdf pdf_icon

STP40N05

STP40N03L-20N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE"ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP40N03L-20 30 V

 8.1. Size:239K  st
stp40nf10l.pdf pdf_icon

STP40N05

STP40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A TO-220Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP40NF10L 100V

 8.2. Size:440K  st
sti40n65m2 stp40n65m2.pdf pdf_icon

STP40N05

STI40N65M2, STP40N65M2 N-channel 650 V, 0.087 typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTI40N65M2 650 V 0.099 32 A STP40N65M2 3 Extremely low gate charge 232 1 Excellent output capacitance (COSS) profile 1IPAK TO-220 100% avalanche tested

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: OSG60R108KZF | BSP322P | LSH65R1K5HT | CEM9936A

 

 
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