FDD9509L-F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDD9509L-F085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO252

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FDD9509L-F085 datasheet

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FDD9509L-F085

MOSFET - P-Channel PowerTrench) -40 V, 7.5 mW, -90 A FDD9509L-F085 Features Typ rDS(on) = 6.0 mW at VGS = -10 V; ID = -70 A www.onsemi.com Typ Qg(tot) = 50 nC at VGS = -10 V; ID = -70 A UIS Capability D Qualified to AEC Q101 These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant G S Applications DPAK TO-252 Automotive Engine Control CASE 369AS Powertrain

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FDD9509L-F085

FDD9507L-F085 P Channel POWERTRENCH) MOSFET -40 V, -100 A, 4.4 mW Features www.onsemi.com Typical RDS(on) = 3.3 mW at VGS = -10 V, ID = -80 A Typical Gg(tot) = 110 nC at VGS = -10 V, ID = -80 A UIS Capability VDSS RDS(ON) MAX ID MAX Qualified to AEC Q101 -40 V 4.4 mW @ -10 V -100 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant D Appl

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FDD9509L-F085

MOSFET - P-Channel, PowerTrench), Logic Level -40 V, -25 A, 21 mW FDD9511L-F085 Features www.onsemi.com Typ rDS(on) = 17 mW at VGS = -10 V; ID = -25 A Typ Qg(tot) = 17 nC at VGS = -10 V; ID = -25 A UIS Capability D Qualified to AEC Q101 G These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant S DPAK Applications TO-252 Automotive Engine Control CASE 369AS

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