FDD9509L-F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDD9509L-F085
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD9509L-F085
FDD9509L-F085 Datasheet (PDF)
fdd9509l-f085.pdf
MOSFET - P-ChannelPowerTrench)-40 V, 7.5 mW, -90 AFDD9509L-F085Features Typ rDS(on) = 6.0 mW at VGS = -10 V; ID = -70 Awww.onsemi.com Typ Qg(tot) = 50 nC at VGS = -10 V; ID = -70 A UIS CapabilityD Qualified to AEC Q101 These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantGSApplicationsDPAKTO-252 Automotive Engine ControlCASE 369AS Powertrain
fdd9507l-f085.pdf
FDD9507L-F085PChannel POWERTRENCH)MOSFET-40 V, -100 A, 4.4 mWFeatureswww.onsemi.com Typical RDS(on) = 3.3 mW at VGS = -10 V, ID = -80 A Typical Gg(tot) = 110 nC at VGS = -10 V, ID = -80 A UIS Capability VDSS RDS(ON) MAX ID MAX Qualified to AEC Q101-40 V 4.4 mW @ -10 V -100 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantDAppl
fdd9511l-f085.pdf
MOSFET - P-Channel,PowerTrench), Logic Level-40 V, -25 A, 21 mWFDD9511L-F085Featureswww.onsemi.com Typ rDS(on) = 17 mW at VGS = -10 V; ID = -25 A Typ Qg(tot) = 17 nC at VGS = -10 V; ID = -25 A UIS CapabilityD Qualified to AEC Q101G These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantSDPAKApplicationsTO-252 Automotive Engine Control CASE 369AS
fdd9510l-f085.pdf
MOSFET - P-Channel LogicLevel PowerTrench)-40 V, 13.5 mW, -50 AFDD9510L-F085Features Typ RDS(on) = 11 mW at VGS = -10 V; ID = -50 Awww.onsemi.com Typ Qg(tot) = 28 nC at VGS = -10 V; ID = -50 A UIS CapabilityD Qualified to AEC Q101 These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantGSApplicationsDPAKTO-252 Automotive Engine ControlCASE 369AS
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918