FDPC3D5N025X9D Todos los transistores

 

FDPC3D5N025X9D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDPC3D5N025X9D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 612 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00301 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERCLIP33
 

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FDPC3D5N025X9D Datasheet (PDF)

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FDPC3D5N025X9D

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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History: QM4014D | FDJ128NF077 | BSC052N03LS | TSF16N50MR | EFC6612R | SHD225715 | AM4396N

 

 
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