HUF76629D3ST-F085 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

HUF76629D3ST-F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HUF76629D3ST-F085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 214 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm

Encapsulados: DPAK

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HUF76629D3ST-F085 datasheet

0.1. Size:428K onsemi
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HUF76629D3ST-F085 N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 100V, 20A, 52m D Features Typ rDS(on) = 41m at VGS = 10V, ID = 20A Typ Qg(tot) = 39nC at VGS = 10V, ID = 20A G UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 S Applications Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Distributed Power Architectures and VRM Pr

2.1. Size:201K fairchild semi
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HUF76629D3, HUF76629D3S Data Sheet December 2001 20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features Ultra Low On-Resistance DRAIN SOURCE (FLANGE) - rDS(ON) = 0.052 , VGS = 10V DRAIN - rDS(ON) = 0.054 , VGS = 5V GATE Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Elect

4.1. Size:203K fairchild semi
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