HUF76629D3ST-F085 Todos los transistores

 

HUF76629D3ST-F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUF76629D3ST-F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 214 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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HUF76629D3ST-F085 Datasheet (PDF)

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HUF76629D3ST-F085

HUF76629D3ST-F085N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 100V, 20A, 52mDFeatures Typ rDS(on) = 41m at VGS = 10V, ID = 20A Typ Qg(tot) = 39nC at VGS = 10V, ID = 20AG UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101SApplications Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Distributed Power Architectures and VRM Pr

 2.1. Size:201K  fairchild semi
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HUF76629D3ST-F085

HUF76629D3, HUF76629D3SData Sheet December 200120A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAINSOURCE (FLANGE) - rDS(ON) = 0.052, VGS = 10VDRAIN- rDS(ON) = 0.054, VGS = 5VGATE Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElect

 4.1. Size:203K  fairchild semi
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HUF76629D3ST-F085

HUF76629D3, HUF76629D3SData Sheet December 200120A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAINSOURCE (FLANGE) - rDS(ON) = 0.052, VGS = 10VDRAIN- rDS(ON) = 0.054, VGS = 5VGATE Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElect

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History: WMJ40N50D1 | MTBB5N10L3 | FDB0165N807L | FDB024N08BL7 | FDBL9401-F085 | ISTP16NF06 | IRFRC20PBF

 

 
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