NTHL190N65S3HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTHL190N65S3HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 162 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTHL190N65S3HF

NTHL190N65S3HF Datasheet (PDF)

..1. Size:506K onsemi
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MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET III,FRFET650 V, 20 A, 190 mWNTHL190N65S3HFwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highVDSS RDS(on) MAX ID MAXvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge650 V 190 m @ 10 V 20 Abalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advan

9.1. Size:422K onsemi
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NTHL110N65S3FMOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, FRFET650 V, 30 A, 110 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(on) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailored to

9.2. Size:305K onsemi
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MOSFET - SiC Power, SingleN-Channel1200 V, 160 mW, 17 ANTHL160N120SC1Features Typ. RDS(on) = 160 mWwww.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 34 nC) Low Effective Output Capacitance (Coss = 50 pF)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% UIL Tested1200 V 224 mW @ 20 V 17 A These Devices are RoHS CompliantTypical ApplicationsN-CHANNEL MOSFET UPSD

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