FCAB21520L1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCAB21520L1
Código: 7T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.54 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
Paquete / Cubierta: TCSP1835011-N2
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FCAB21520L1
FCAB21520L1 Datasheet (PDF)
fcab21520l1.pdf
Doc No. TT4-ZZ-02014 Revision. 1Product StandardsMOS FETFCAB21520L1FCAB21520L1Gate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits Features Source-source ON resistance:RSS(on) typ. = 1.6 mVGS = 3.8 V) CSP(Chip Size Package) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1) Ma
fcab2126.pdf
Doc No. TT4-EA-15014Revision. 1Product StandardsMOS FETFCAB21260LFCAB21260LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mmFor lithium-ion secondary battery protection circuits3.546 5 4 Features Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 2.0 mWVGS = 4.5 V) CSP(Chip Size Package) 1 2 3 RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)(R0.125)
fcab21490l1.pdf
Doc No. TT4-ZZ-02013 Revision. 1Product StandardsMOS FETFCAB21490L1FCAB21490L1Gate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits Features Source-source ON resistance:RSS(on) typ. = 2.2 mVGS = 3.8 V) CSP(Chip Size Package) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1) Ma
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