NTMFD6H846NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTMFD6H846NL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8-5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTMFD6H846NL

NTMFD6H846NL Datasheet (PDF)

..1. Size:202K onsemi
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MOSFET - Power, DualN-Channel80 V, 15 mW, 31 ANTMFD6H846NLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant15 mW @ 10 V80 V31 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise n

0.1. Size:202K 1
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5.1. Size:126K 1
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NTMFD6H840NLPower MOSFET80 V, 6.9 mW, 74 A, Dual N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)6.9 mW @ 10 VParame

5.2. Size:126K onsemi
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