NTMTS0D7N06CL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTMTS0D7N06CL
   Código: 0D7N06CL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 294.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 477 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 225 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 26.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00068 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFNW8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTMTS0D7N06CL

NTMTS0D7N06CL Datasheet (PDF)

..1. Size:398K onsemi
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MOSFET - Power, SingleN-Channel60 V, 0.68 mW, 477 ANTMTS0D7N06CLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Power 88 Package, Industry Standard0.68 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are Ro

2.1. Size:399K onsemi
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MOSFET - Power, SingleN-Channel, DFNW860 V, 0.72 mW, 464 ANTMTS0D7N06CFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant60 V 0.72 mW @ 10 V 464 ATypical A

7.1. Size:241K onsemi
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NTMTS0D6N04CPower MOSFET40 V, 0.48 mW, 533 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXTypical Applications40 V 0.48 mW @ 10 V 533

7.2. Size:252K onsemi
ntmts0d6n04cl.pdf

NTMTS0D6N04CLPower MOSFET40 V, 0.42 mW, 554.5 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXTypical Applications0.42 mW @ 10 V40 V

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Liste

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