NTPF110N65S3HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTPF110N65S3HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 240 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 62 nC
   Tiempo de subida (tr): 25 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 52 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP

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NTPF110N65S3HF Datasheet (PDF)

..1. Size:300K onsemi
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NTPF110N65S3HFMOSFET Power,N-Channel, SUPERFET III,FRFET650 V, 30 A, 110 mWwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highVDSS RDS(ON) MAX ID MAXvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge650 V 110 mW @ 10 V 30 Abalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advance

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MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET III,FRFET650 V, 20 A, 190 mWNTPF190N65S3HFwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highVDSS RDS(ON) MAX ID MAXvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge650 V 190 mW @ 10 V 20 Abalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanc

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NTPF150N65S3HFMOSFET Power,N-Channel, SUPERFET III,FRFET650 V, 24 A, 150 mWwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeVDSS RDS(ON) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 150 mW @ 10 V 24 Acharge performance. This advanc

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