NTPF190N65S3HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTPF190N65S3HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FP
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NTPF190N65S3HF Datasheet (PDF)
ntpf190n65s3hf.pdf
MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET III,FRFET650 V, 20 A, 190 mWNTPF190N65S3HFwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highVDSS RDS(ON) MAX ID MAXvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge650 V 190 mW @ 10 V 20 Abalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanc
ntpf150n65s3hf.pdf
NTPF150N65S3HFMOSFET Power,N-Channel, SUPERFET III,FRFET650 V, 24 A, 150 mWwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeVDSS RDS(ON) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 150 mW @ 10 V 24 Acharge performance. This advanc
ntpf110n65s3hf.pdf
NTPF110N65S3HFMOSFET Power,N-Channel, SUPERFET III,FRFET650 V, 30 A, 110 mWwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highVDSS RDS(ON) MAX ID MAXvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge650 V 110 mW @ 10 V 30 Abalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advance
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History: SI4122DY
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